Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

A5G35S004N-3400

Name: NXP A5G35S004N-3400
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-A5G35S004N-3400
Price: 659.45 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-A5G35S004N-3400

Nr prod.:

A5G35S004N-3400

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

RF Development Tools A5G35S004N 3400-4300 MHz Reference Circuit

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors A5G35S004N-3400

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:: 4 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 1 tydzień Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	659,45 zł	659,45 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Narzędzia do rozbudowy układów RF
RoHS:	N
Produkt:	Evaluation Boards
Rodzaj:	RF Transistor
Narzędzie służy do oceny:	A5G35S004N
Marka:	NXP Semiconductors
Rodzaj produktu:	RF Development Tools
Seria:	A5G35S004N
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Development Tools
Nazwy umowne nr części:	935430274598

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

A5G35S004N Evaluation Board

NXP Semiconductors A5G35S004N Evaluation Board is used with the A5G35S004N Airfast RF Power GaN Transistor. The board is an unmatched device for wide frequency range utilization. It has a 48V GaN discrete transistor, 500-5800MHz, and a 36.6dBm peak (5W).