Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SBR20E100CT

Name: Diodes Incorporated SBR20E100CT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR20E100CT
Price: 4.79 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-SBR20E100CT

Nr prod.:

SBR20E100CT

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Schottky Diodes & Rectifiers 20A SBR 100Vrrm 120Vrwm 180Ifsm

Karta charakterystyki:

SBR20E100CT Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated SBR20E100CT

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,79 zł	4,79 zł
	2,91 zł	29,10 zł
	1,94 zł	194,00 zł
	1,65 zł	825,00 zł
	1,49 zł	1 490,00 zł
	1,33 zł	3 325,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Prostowniki i diody Schottky'ego
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Schottky Rectifiers
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220AB-3
Konfiguracja:	Dual Anode Common Cathode
Technologia:	Si
If – prąd przewodzenia diody:	20 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	100 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	850 mV
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	250 A
Ir – Prąd wsteczny:	100 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	SBR20E100
Opakowanie:	Tube
Marka:	Diodes Incorporated
Rodzaj produktu:	Schottky Diodes & Rectifiers
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	100 V
Jednostka masy:	1,850 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SBR20E100CT Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

SBR20E100x Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. SBR20E100x Super Barrier Rectifiers deliver low forward voltage drop (VF) with excellent low reverse leakage stability at high temperatures. These rectifiers are composed of molded plastic in a TO-220AB case with matte tin finish terminals annealed over a copper lead frame. Patented SBR technology provides good avalanche capability ensuring rugged and reliable end applications. SBR20E100x rectifiers are designed to be used as rectification, freewheeling, or polarity protection diodes for DC-DC converters and AC-DC adapters/chargers. The Halogen and Antimony free green devices include a lead-free finish and ROHS compliance.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.