1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors are the 7th generation of 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs, which are designed with micro-pattern trench technology. These discrete IGBTs offer a high level of controllability, low conduction losses, low switching losses, improved EMI performance, and humidity robustness under harsh environments. The IGBT7 H7 discrete transistors allow the selection of a low gate resistor (down to 5Ω) while maintaining excellent switching behavior. These transistors are used in fast EV charging, industrial heating and welding, and Uninterruptible Power Supplies (UPS) applications.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Maksymalne napięcie bramka–emiter Seria Opakowanie
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package 198Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 283Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 19Na stanie magazynowym
2 400Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 408Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 487Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 320Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 237Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 82Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 200Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 149Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package 26Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 01.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 5Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
460Oczekiwane: 22.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube