1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors are the 7th generation of 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs, which are designed with micro-pattern trench technology. These discrete IGBTs offer a high level of controllability, low conduction losses, low switching losses, improved EMI performance, and humidity robustness under harsh environments. The IGBT7 H7 discrete transistors allow the selection of a low gate resistor (down to 5Ω) while maintaining excellent switching behavior. These transistors are used in fast EV charging, industrial heating and welding, and Uninterruptible Power Supplies (UPS) applications.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Karta charakterystyki
451Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
425Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
650Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Karta charakterystyki
694Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Karta charakterystyki
839Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
319Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 23.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
350Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
109Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 08.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Karta charakterystyki
347Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
208Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
71Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
82Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube