Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGWA30IH160DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30IH160DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30IH160DF2
Price: 20.79 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGWA30IH160DF2

Nr prod.:

STGWA30IH160DF2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

STGWA30IH160DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGWA30IH160DF2

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 600

Oczekiwane: 24.08.2026
Średni czas produkcji:: 14

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	20,79 zł	20,79 zł
	11,80 zł	118,00 zł
	9,74 zł	1 168,80 zł
	8,65 zł	4 411,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.6 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.77 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	85 A
Pd – strata mocy:	395 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 nA
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6,100 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGWA30IH160DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STGWA30IH160DF2 1600V IH2 Series IGBT

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2 series IGBT was created by implementing an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low forward voltage drop is included. The STMicro STGWA30IH160DF2 is specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching applications. The device is available in a TO-247 long lead package.