Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 8.56 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RH7E04BBJFRATCB

Nr prod.:

RH7E04BBJFRATCB

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs DFN8 P-CH 30V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RH7E04BBJFRATCB Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB

Na stanie magazynowym: 2 400

Stany magazynowe:: 2 400 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,56 zł	8,56 zł
	5,46 zł	54,60 zł
	3,81 zł	381,00 zł
	3,21 zł	1 605,00 zł
	2,86 zł	2 860,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,43 zł	7 290,00 zł
	2,40 zł	14 400,00 zł
	2,38 zł	21 420,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	40 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	65 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	75 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	105 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	160 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RH7E04BBJFRATCB Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET is a -30V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A drain current (I_D) rated automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. This MOSFET has a drain-source on-state resistance (R_DS(ON)) of 7.52mΩ (max.) with V_GS = -10V, I_D= -20A or 11.3mΩ (max.) with V_GS = -4.5V, I_D = -10A. The total gate charge (Q_g) is 65.0nC (typ.) with V_DD = -15V, I_D = -10A, V_GS = -10V. The ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.