Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

RDGD31603PHSEVM

Name: NXP RDGD31603PHSEVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-RDGD31603PHSEVM
Price: 2950.1 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

771-RDGD31603PHSEVM

Nr prod.:

RDGD31603PHSEVM

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

Power Management IC Development Tools RDGD31603PHSEVM

Karta charakterystyki:

RDGD31603PHSEVM Karta charakterystyki (PDF)

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:: 4 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2 950,10 zł	2 950,10 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:	N
Produkt:	Reference Design Boards
Rodzaj:	Inverter
Napięcie wejściowe:	12 V
Narzędzie służy do oceny:	GD3160
Marka:	NXP Semiconductors
Rodzaj interfejsu:	SPI
Rodzaj produktu:	Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Development Tools
Nazwy umowne nr części:	935427963598

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RDGD31603PHSEVM Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8473302000
USHTS:: 8473301180
ECCN:: EAR99

RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design demonstrates a three-phase inverter circuit based on six GD3160 Gate Drivers. The GD3160 is an advanced single-channel high-voltage isolated Gate Driver with enhanced features for driving and protecting Silicon Carbide (SiC) MOSFETs or IGBTs and functional safety. The RDGD3160I3PH5EVB supports SPI daisy chain communication for programming and communication with three high-side gate drivers and three low-side gate drivers independently. The Reference Design includes fault management and all supporting circuitry. Other supporting features on the board include desaturation short-circuit detection, IGBT/SiC temperature sensing, DC Link bus voltage monitoring, phase current sensing, and motor resolver excitation and signal processing connection circuitry.