QPD1013EVB01

Qorvo
772-QPD1013EVB01
QPD1013EVB01

Produc.:

Opis:
RF Development Tools DC-2.7GHz 150W Eval Board

Produkt dostępny tylko dla klientów OEM/EMS i profesjonalnych projektantów. Produkt nie jest wysyłany do konsumentów w UE i w Wielkiej Brytanii.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
4 063,50 zł 4 063,50 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Narzędzia do rozbudowy układów RF
Ograniczenia dotyczące wysyłki
 Produkt dostępny tylko dla klientów OEM/EMS i profesjonalnych projektantów. Produkt nie jest wysyłany do konsumentów w UE i w Wielkiej Brytanii.
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Transistor
QPD1013
1.2 GHz to 1.9 GHz
Marka: Qorvo
Do użytku z : QPD1013 GaN RF Transistor
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: RF Development Tools
Seria: QPD1013
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Nazwy umowne nr części: QPD1013
Jednostka masy: 340,825 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board evaluates the QPD1013 GaN RF transistor. This evaluation board works in a frequency range of 1.2GHz to 1.9GHz. The QPD1013 GaN RF transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.