Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101