Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
onsemi IGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
Karta charakterystyki
122Na stanie magazynowym
24Oczekiwane: 08.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray