NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules

onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules are 1200V, 800A rated half-bridge IGBT power module. These modules integrate Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen 7 diodes to provide low conduction losses and switching losses. This enables designers to achieve high efficiency and superior reliability. Typical applications include motor drives, servo drives, Commercial Agriculture Vehicles (CAV), solar drives, and UPS.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
onsemi IGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
Karta charakterystyki
60Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray