Tranzystory MOSFET 12–250 V z kanałem typu P

Tranzystory MOSFET 12–250 V z kanałem typu P firmy Infineon oferują projektantom nowe możliwości, które mogą uprościć konstrukcję obwodów i zoptymalizować wydajność. Główną zaletą urządzeń z kanałem typu P (P-Channel) jest zmniejszenie stopnia skomplikowania projektu w zastosowaniach średniej i małej mocy. Tranzystory mocy MOSFET typu P-Channel nadają się idealnie do ochrony akumulatorów, ochrony przed odwrotną polaryzacją, liniowych ładowarek akumulatorów, przełączania obciążenia, przetwornic DC-DC oraz do sterowania w obwodach niskiego napięcia.

Wyniki: 27
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
Karta charakterystyki
1 145Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 06.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 1.55 A 980 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
Karta charakterystyki
3 370Oczekiwane: 19.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 990 mA 200 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel