Tranzystory MOSFET 12–250 V z kanałem typu P

Tranzystory MOSFET 12–250 V z kanałem typu P firmy Infineon oferują projektantom nowe możliwości, które mogą uprościć konstrukcję obwodów i zoptymalizować wydajność. Główną zaletą urządzeń z kanałem typu P (P-Channel) jest zmniejszenie stopnia skomplikowania projektu w zastosowaniach średniej i małej mocy. Tranzystory mocy MOSFET typu P-Channel nadają się idealnie do ochrony akumulatorów, ochrony przed odwrotną polaryzacją, liniowych ładowarek akumulatorów, przełączania obciążenia, przetwornic DC-DC oraz do sterowania w obwodach niskiego napięcia.

Wyniki: 27
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS 2 006Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
5 000Oczekiwane: 15.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 3.9 A 160 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel