Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 20.98 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVBLS1D2N08XTXG

Nr prod.:

NVBLS1D2N08XTXG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T10 80V SG TOLL

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVBLS1D2N08XTXG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVBLS1D2N08XTXG

Na stanie magazynowym: 470

Stany magazynowe:: 470

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 000

Oczekiwane: 02.03.2026
Średni czas produkcji:: 19

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	20,98 zł	20,98 zł
	14,84 zł	148,40 zł
	12,81 zł	1 281,00 zł
	12,47 zł	6 235,00 zł
	12,08 zł	12 080,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	11,83 zł	23 660,00 zł
10 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H-PSOF-8L
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	299 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	121 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	197 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	12 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	294 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	23 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	65 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVBLS1D2N08XTXG Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET features a low Q_RR, R_DS(on), and Q_G to minimize driver and conduction loss. The MOSFET is AEC-Q101-qualified for automotive 48V system applications. The device operates with an 80V drain-to-source voltage and 299A continuous drain current. The onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET is available in a H-PSOF8L package.