PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Qrr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of TVJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient VCEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Karta charakterystyki
900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
Karta charakterystyki
834Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube