Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TK55S10N1,LQ

Name: Toshiba TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK55S10N1LQ
Price: 13.5 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TK55S10N1LQ

Nr prod.:

TK55S10N1,LQ

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

Karta charakterystyki:

TK55S10N1,LQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TK55S10N1,LQ

Na stanie magazynowym: 1 560

Stany magazynowe:: 1 560 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	13,50 zł	13,50 zł
	8,86 zł	88,60 zł
	6,19 zł	619,00 zł
	5,42 zł	2 710,00 zł
	4,99 zł	4 990,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	4,60 zł	9 200,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	55 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	49 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	100 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Nazwa handlowa:	U-MOSVIII-H
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	19 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11 ns
Seria:	TK55S10N1
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	51 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns
Jednostka masy:	330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TK55S10N1,LQ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Rozwiązania dla motoryzacji

Rozwiązania dla motoryzacji firmy Toshiba obejmują różne samochodowe urządzenia półprzewodnikowe zaprojektowane w celu poprawy bezpieczeństwa jazdy. Są to między innymi zaawansowane systemy wspomagania kierowcy (ADAS) wykorzystujące procesor rozpoznawania obrazu. Firma Toshiba oferuje najnowocześniejsze i gotowe na przyszłe wyzwania technologie półprzewodnikowe, aby dostarczać kompleksowe rozwiązania wspomagania kierowcy. Rozwiązania te obejmują systemy samodzielnego prowadzenia pojazdu, które naśladują pracę ludzkich oczu i innych złożonych ludzkich zmysłów.