MOSFETs for Industrial & Lighting Applications

Toshiba 60V and 100V Power MOSFETs for Industrial and Lighting Applications include the 60V SSM3K341 and the 100V SSM3K361 families. These MOSFETs feature industry-leading low on-resistance and are suited to load switching in television and industrial lighting. The devices are also good candidates for industrial automation systems that require low to medium power.

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 570 294Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 12 896Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 58 450Na stanie magazynowym
126 000Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 53 071Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 96 751Na stanie magazynowym
15 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V + 175 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 48 931Na stanie magazynowym
30 000Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC + 175 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 88 631Na stanie magazynowym
105 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V 47 427Na stanie magazynowym
27 000Oczekiwane: 26.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 100 V 2 A 84 mOhms, 84 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 4 907Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
4 969Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel