Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

EVLMG1LPBRDR1

Name: STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLMG1LPBRDR1
Price: 384.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-EVLMG1LPBRDR1

Nr prod.:

EVLMG1LPBRDR1

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

Power Management IC Development Tools MASTERGAN1L power module high efficiency Half-Bridge-GaN-based power supply apps

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

EVLMG1LPBRDR1 Karta charakterystyki (PDF)

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1

Na stanie magazynowym: 7

Stany magazynowe:: 7 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	384,59 zł	384,59 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:
Produkt:	Evaluation Modules
Rodzaj:	Gate Driver
Narzędzie służy do oceny:	MASTERGAN1L
Marka:	STMicroelectronics
Do użytku z :	Power Module
Opakowanie:	Bulk
Rodzaj produktu:	Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Development Tools

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

EVLMG1LPBRDR1 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8504409590
USHTS:: 8504409580
JPHTS:: 850440090
ECCN:: EAR99

EVLMG1LPBRDR1 GaN-Based Half-Bridge Power Module

STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1 GaN-Based Half-Bridge Power Module is equipped with MASTERGAN1L, which quickly creates topologies without needing a complete PCB design. Fine-tuned to work in an LLC application, the module provides low-side resistors set to zero and two external body diodes connected parallel to each half-bridge GaN. The module can also work in active clamp or resonant peak current mode flyback applications simply by properly adjusting the low-side sense resistor and removing the parallel diodes.