STD65N160M9

STMicroelectronics
511-STD65N160M9
STD65N160M9

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STD65N160M9

Na stanie magazynowym: 775

Stany magazynowe:
775 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
12,56 zł 12,56 zł
8,86 zł 88,60 zł
6,19 zł 619,00 zł
5,42 zł 2 710,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
4,60 zł 11 500,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
160 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
106 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Czas zanikania: 7 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 4 ns
Seria: MDmesh M9
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Jednostka masy: 330 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Other

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STD65N160M9 N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD65N160M9 N-channel Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The MOSFET is suitable for medium/high voltage featuring very low RDS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing for an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.