60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel