Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DMN52D0LT-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0LT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0LT-7
Price: 1.07 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMN52D0LT-7

Nr prod.:

DMN52D0LT-7

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K

Karta charakterystyki:

DMN52D0LT-7 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMN52D0LT-7

Na stanie magazynowym: 10 030

Stany magazynowe:: 10 030 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,07 zł	1,07 zł
	0,662 zł	6,62 zł
	0,413 zł	41,30 zł
	0,305 zł	152,50 zł
	0,271 zł	271,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,202 zł	606,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT523-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	50 V
Id – Ciągły prąd drenu:	350 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	490 mV
Qg – ładunek bramki:	1.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	500 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	41 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	32 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	1.3 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMN52D0LT-7 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN52D0LT N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0LT N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize R_DS(ON) and maintain impressive switching performance. This MOSFET features a very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed, and ESD protected gate. The DMN52D0LT MOSFET offers low input/output leakage and is AEC-Q100/101/104/200 qualified and PPAP capable. This MOSFET is Lead-free, RoHS compliant, and operates within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include motor driving, power management functions, and load switching.