QPC2511SR

Qorvo
772-QPC2511SR
QPC2511SR

Produc.:

Opis:
RF Switch ICs 2-11 GHz 30 W GaN SP3T Switch

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 100

Stany magazynowe:
100 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 100 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
875,57 zł 875,57 zł
593,74 zł 14 843,50 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
540,25 zł 54 025,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Układy scalone przełączników RF
RoHS:  
SP3T
2 GHz
11 GHz
1.58 dB
20 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
4 mm x 4 mm
GaN SiC
QPC2511
Reel
Cut Tape
Marka: Qorvo
Zestaw projektowy: QPC2511EVB03
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Liczba przełączników: Single
Prąd roboczy zasilania: 10 mA
Pd – strata mocy: 5 W
Rodzaj produktu: RF Switch ICs
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
8517620020
ECCN:
5A991.g

QPC2511 30W GaN SP3T Switch

Qorvo QPC2511 30W GaN (Gallium Nitride) SP3T Switch is a Single-Pole Triple-Throw switch fabricated on a proprietary QGaN15 0.15µm GaN on SiC production process. The throws are specifically designed for high frequency and RF power (30W) S-band and X-band transmission linear power handling. The remaining throw is a wide-band (≥11GHz) low-pass receive path that can operate linearly up to 10W. The QPC2511 maintains low insertion loss (approximately 1.5dB in X-band) and 20dB isolation, making it ideal for high frequency and RF power switching applications across defense and commercial platforms.