SIJA22DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIJA22DP-T1-GE3
SIJA22DP-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 64A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIJA22DP-T1-GE3

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
7,01 zł 7,01 zł
4,56 zł 45,60 zł
3,03 zł 303,00 zł
2,43 zł 1 215,00 zł
2,22 zł 2 220,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
2,14 zł 6 420,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
25 V
201 A
740 uOhms
- 16 V, 20 V
2.2 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Czas zanikania: 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 155 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 6 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: TrenchFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 39 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 15 ns
Jednostka masy: 506,600 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET

Vishay / Siliconix SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET comes in a PowerPAK SO-8L package with a single configuration design and 25VDS drain-source voltage. This module features TrenchFET® Gen IV power, tuned for the lowest RDS to Qoss FOM, and is 100% Rg and UIS tested. Vishay SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET applications are synchronous rectification, high power density DC/DC, battery and load switches, and hot-swap switches.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.