Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RQ3P270BLFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P270BLFRATCB
Price: 7.22 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RQ3P270BLFRATCB

Nr prod.:

RQ3P270BLFRATCB

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs HSMT N CHAN 100V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RQ3P270BLFRATCB Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRATCB

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 3 000

Oczekiwane: 27.03.2026
Średni czas produkcji:: 16

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,22 zł	7,22 zł
	4,60 zł	46,00 zł
	3,20 zł	320,00 zł
	2,71 zł	1 355,00 zł
	2,26 zł	2 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,09 zł	6 270,00 zł
	1,98 zł	11 880,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	27 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	29 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	13.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	69 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	8.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	7.3 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RQ3P270BLFRATCB Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3P270BLFRA Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The devices supply 100V drain-source breakdown voltage, 29mΩ static drain-source on-state resistance, and ±27A continuous drain current. The ROHM RQ3P270BLFRA Power MOSFETs are ideal for automotive applications, including ADAS, infotainment, lighting, and body.