QPA2935EVB

Qorvo
772-QPA2935EVB
QPA2935EVB

Produc.:

Opis:
RF Development Tools 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM

Produkt dostępny tylko dla klientów OEM/EMS i profesjonalnych projektantów. Produkt nie jest wysyłany do konsumentów w UE i w Wielkiej Brytanii.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
4 179,60 zł 4 179,60 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Narzędzia do rozbudowy układów RF
Ograniczenia dotyczące wysyłki
 Produkt dostępny tylko dla klientów OEM/EMS i profesjonalnych projektantów. Produkt nie jest wysyłany do konsumentów w UE i w Wielkiej Brytanii.
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Amplifier
QPA2935, QPA2935TR7
2.7 GHz to 3.5 GHz
Marka: Qorvo
Do użytku z : 2 Watt S-Band GaN Driver Amplifier
Opakowanie: Bag
Rodzaj produktu: RF Development Tools
Seria: QPA2935
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Nazwy umowne nr części: QPA2935
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPA2935EVB Evaluation Board

Qorvo QPA2935EVB Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier. The QPA2935 operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.