RBR40NSx0AFH Automotive Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH Automotive Schottky Barrier Diodes are highly reliable low VF type diodes. These barrier diodes feature power mold type and cathode common dual type and come with Silicon epitaxial planar structure. The RBR40NSx0AFH diodes are stored at -55°C to +150°C temperature range. These barrier diodes function at 40A average rectified forward current, 100A peak forward surge current, and +150°C junction temperature. ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH automotive Schottky barrier diodes are ideal for use in switching power supply

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 40 V 550 mV 100 A 430 uA + 150 C AEC-Q101 Reel