Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RQ3P300BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3P300BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P300BHTB1
Price: 11.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RQ3P300BHTB1

Nr prod.:

RQ3P300BHTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

Karta charakterystyki:

RQ3P300BHTB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RQ3P300BHTB1

Na stanie magazynowym: 4 694

Stany magazynowe:: 4 694 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	11,01 zł	11,01 zł
	7,57 zł	75,70 zł
	5,25 zł	525,00 zł
	4,43 zł	2 215,00 zł
	4,18 zł	4 180,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,76 zł	11 280,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	39 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	15.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	18 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	32 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	14 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	8 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	20 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	34 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	18 ns
Nazwy umowne nr części:	RQ3P300BH

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RQ3P300BHTB1 Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3P300BH N-Channel 100V 39A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3P300BH N-Channel 100V 39A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a small surface-mount package. The RQ3P300BH features Pb-free plating and is RoHS compliant.