Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 76.97 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-DQ60R010S7AXTMA1

Nr prod.:

IPDQ60R010S7AXTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Karta charakterystyki:

IPDQ60R010S7AXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPDQ60R010S7AXTMA1

Na stanie magazynowym: 918

Stany magazynowe:: 918

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 750

Oczekiwane: 26.03.2026
Średni czas produkcji:: 22

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	76,97 zł	76,97 zł
	57,66 zł	576,60 zł
	51,39 zł	5 139,00 zł
	50,35 zł	25 175,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 750)
	48,07 zł	36 052,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	50 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	10 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	318 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	694 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	750
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	IPDQ60R010S7A SP002063384

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPDQ60R010S7AXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

600V CoolMOS™ SJ S7A Power Device

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7A Power Device is a high voltage power MOSFET, designed as a static switch. The device was designed according to the Infineon Technologies' super-junction (SJ) principle. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation for low R_DS(on) in a QDPAK package. The S7A series is optimized for low-frequency switching and high current applications like circuit breakers.