Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMYS3D8N04CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D8N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D8N04CLTWG
Price: 6.79 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMYS3D8N04CLTWG

Nr prod.:

NVMYS3D8N04CLTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T6 40V LL LFPAK

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

NVMYS3D8N04CLTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMYS3D8N04CLTWG

Na stanie magazynowym: 3 000

Stany magazynowe:: 3 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,79 zł	6,79 zł
	6,15 zł	61,50 zł
	4,11 zł	411,00 zł
	3,35 zł	1 675,00 zł
	2,93 zł	2 930,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,80 zł	5 400,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	87 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	18 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	55 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	80 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	100 ns
Seria:	NVMYS3D8N04CL
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.3 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMYS3D8N04CLTWG Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMYS3D8N04CL Power MOSFET

onsemi NVMYS3D8N04CL Power MOSFET is a single N-channel MOSFET designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This power MOSFET operates at 40V Drain-to-Source voltage, 3.7mΩ drain resistance, and 87A continuous drain current. The NVMYS3D8N04CL N-channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications that require enhanced board-level reliability. This device is Pb-free and RoHS Compliant. The NVMYS3D8N04CL is ideal for reverse battery protection power switches, switching power supplies, solenoid drivers, motor control, and load switches.