Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Karta charakterystyki
451Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Karta charakterystyki
327Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
Karta charakterystyki
322Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Karta charakterystyki
391Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube