Tranzystory MOSFET trzeciej generacji na bazie węglika krzemu

Tranzystory MOSFET trzeciej generacji na bazie węglika krzemu firmy Toshiba są przeznaczone do zastosowań przemysłowych o dużej mocy, takich jak zasilacze AC-DC o napięciu wejściowym 400 V. Inne zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne (PV) oraz dwukierunkowe przetwornice DC-DC do zasilaczy awaryjnych (UPS). Te tranzystory MOSFET przyczyniają się do zmniejszenia zużycia energii i poprawy gęstości mocy. Wynika to z technologii SiC, która pozwala na dostarczanie przez urządzenia wyższych napięć, szybszego przełączania i niższej rezystancji przy włączeniu. Konstrukcja mikroukładu trzeciej generacji firmy Toshiba oferuje większą niezawodność a także pojemność wejściową (CISS) wynoszącą 4850 pF (typowo), niski ładunek bramka-wejście (Qg) wynoszący 128 nC (typowo) i rezystancję dren-źródło (RDS(ON)) wynoszącą zaledwie 15 mΩ lub 30 mΩ (typowo).

Wyniki: 24
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Karta charakterystyki
2 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Karta charakterystyki
2 480Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Karta charakterystyki
2 493Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Karta charakterystyki
2 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Karta charakterystyki
31Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Karta charakterystyki
49Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Karta charakterystyki
142Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Karta charakterystyki
67Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Karta charakterystyki
35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Karta charakterystyki
111Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Karta charakterystyki
52Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Karta charakterystyki
202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Karta charakterystyki
61Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Karta charakterystyki
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Karta charakterystyki
20Oczekiwane: 22.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Karta charakterystyki
176Oczekiwane: 17.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 25 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement