DMTH4004 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH4004 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON). These MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments and are rated up to 175°C. The N-Channel MOSFETs are 100% UIS (Unclamped Inductive Switching) tested in production which ensures more reliable and robust end application. These MOSFETs offer a 40V drain-to-source voltage and minimizes switching losses. In DMTH4004 series the DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ, and DMTH4004LK3 MOSFETs are designed to meet the strict requirements of automotive applications. All these MOSFETs are PPAP (Production Part Approval Process) capable and are qualified to AEC-Q101 standard. Diodes Incorporated DMTH4004 series MOSFETs are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2 415Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2 363Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 2 370Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 548Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 15 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 10 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel