Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIHFPS37N50A-GE3

Name: Vishay SIHFPS37N50A-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHFPS37N50A-GE3
Price: 29.2 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIHFPS37N50A-GE3

Nr prod.:

SIHFPS37N50A-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs SPR247 500V 36A N-CH MOSFET

Karta charakterystyki:

SIHFPS37N50A-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIHFPS37N50A-GE3

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 776

Oczekiwane: 08.06.2026
Średni czas produkcji:: 51

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	29,20 zł	29,20 zł
	20,51 zł	205,10 zł
	17,07 zł	1 707,00 zł
	15,22 zł	7 305,60 zł
	14,41 zł	13 833,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	Super-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	500 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	130 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	180 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	446 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	IL
Czas zanikania:	80 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	20 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	98 ns
Seria:	SIHFPS
Wielkość opakowania producenta:	480
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	52 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	23 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SIHFPS Super-247 Power MOSFET

Vishay / Siliconix SIHFPS Super-247 Power MOSFET offers an improved gate with an avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The avalanche voltage, current, and capacitance are fully characterized. The SIHFPS Super-247 Power MOSFETs have an enhanced body diode dV/dt capability and are ideal for high-speed and hard-switching applications.