TAV1 Transistors

Mini-Circuits TAV1-331NM+ and TAV1-541NM+ Transistors are designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package. The transistors feature a low noise figure, a high gain, and a high output IP3, which makes them ideal for sensitive receivers in communications systems. Mini-Circuits TAV1-331NM+ and TAV1-541NM+ Transistors provide a non-ferrous package leadframe that is non-magnetic for use in MRI and other magnetic-sensitive applications. The transistors are also utilized in 5G MIMO radio systems, Wi-Fi® 6, tactical radio, and orthogonal frequency-division multiplexing (OFDM) applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Id – Ciągły prąd drenu Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
Mini-Circuits RF MOSFET Transistors SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz 537Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 45 MHz to 6 GHz 8.9 dB 20.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits RF MOSFET Transistors SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz 459Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12.3 dB 21.5 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm Reel, Cut Tape, MouseReel