APX-NG000xAPD InGaAs Avalanche Photodiodes (APDs)

Advanced Photonix APX-NG000xAPD InGaAs Avalanche Photodiodes (APDs) are available with 0.2mm and 0.4mm active area diameters and in surface mount TO-46 metal cans. The Advanced Photonix APX-NG000xAPD devices operate at reverse bias voltages ranging from 40V to less than 80V, with a typical bias voltage of 55V. These APDs provide avalanche gains of up to 25. High gain, low noise, and fast response times make these devices ideal for use in optical communication receivers, laser range finders, and low-light-level detection systems operating in the near-infrared wavelength range (1000nm to 1650nm).    

 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Opakowanie/obudowa Styl mocowania Długość fali szczytowej Prąd ciemny Czas narastania Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria
Advanced Photonix Photodiodes 1550nm 400ps 60V 20nA TO-46-3 Lens Top Metal Can Avalanche
20Oczekiwane: 13.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Avalanche Photodiodes TO-46-3 Through Hole 1550 nm 20 nA 0.4 ns - 40 C + 85 C APX-NG000XAPD
Advanced Photonix Photodiodes Niedostępne na stanie
Min.: 40
Wielokr.: 40

Avalanche Photodiodes TO-46-3 Through Hole 1550 nm 80 nA 0.8 ns - 40 C + 85 C