Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Tryb kanału
Nazwa handlowa
ROHM Semiconductor GaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5mO, Low Side Nch
Karta charakterystyki
995Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT VQFN-46 1 Channel 650 V 68.8 A 70 mOhms - 40 C + 105 C Enhancement Nano Cap; EcoGaN
ROHM Semiconductor GaN FETs HEMT POWER STAGE IC
Karta charakterystyki
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT VQFN-46 1 Channel 650 V 17.9 A 100 mOhms - 40 C + 105 C Enhancement Nano Cap; EcoGaN
ROHM Semiconductor GaN FETs HEMT POWER STAGE IC
Karta charakterystyki
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT VQFN-46 1 Channel 650 V 12.2 A 195 mOhms - 40 C + 105 C Enhancement Nano Cap; EcoGaN