Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Wyniki: 130
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si 60 V 33 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si 60 V 18 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 45 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 60 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 107 nC Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 30 V 115 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 4.6 A 71 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 6.8 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 4.6 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 5.2 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 30 V 4.9 A 64 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 14 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si 20 V 6.6 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si 20 V 5.2 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC Reel