Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BUK6Q21-30PJ

Name: Nexperia BUK6Q21-30PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q21-30PJ
Price: 4.96 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-BUK6Q21-30PJ

Nr prod.:

BUK6Q21-30PJ

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

BUK6Q21-30PJ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia BUK6Q21-30PJ

Na stanie magazynowym: 2 457

Stany magazynowe:: 2 457 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,96 zł	4,96 zł
	3,11 zł	31,10 zł
	2,06 zł	206,00 zł
	1,61 zł	805,00 zł
	1,47 zł	1 470,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,28 zł	3 840,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	MLPAK33-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	41 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	21.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.7 V
Qg – ładunek bramki:	23 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	56 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	154 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	18 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	37 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3 ns
Nazwy umowne nr części:	934670273118

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BUK6Q21-30PJ Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

BUK6Q21-30PJ MOSFET

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET is an automotive, 30V P-channel enhancement mode FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This MOSFET offers logic-level compatibility and features side-wettable flanks for optical solder inspection. The BUK6Q21-30PJ MOSFET operates in negative mode during regular operation, with drain-source voltage (V_DS). The maximum voltage that can be safely applied between the drain and source terminals is 30V. This MOSFET is offered in a thermally efficient package in a small form factor (3.3mm x 3.3mm footprint). The BUK6Q12-40PJ MOSFET is AEC-Q101 qualified and is suitable for automotive applications. This MOSFET is ideal for reverse polarity protection, high-speed line drivers, high-side load switches, and relay drivers.