Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MRF1K50HR5

Name: NXP MRF1K50HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50HR5
Price: 1652.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

841-MRF1K50HR5

Nr prod.:

MRF1K50HR5

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Karta charakterystyki:

MRF1K50HR5 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors MRF1K50HR5

Na stanie magazynowym: 46

Stany magazynowe:: 46 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 10 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1 652,49 zł	1 652,49 zł
	1 431,26 zł	14 312,60 zł
	1 376,04 zł	34 401,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
	1 342,76 zł	67 138,00 zł
100	Oferta

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	135 V
Częstotliwość robocza:	1.8 MHz to 500 MHz
Wzmocnienie:	23.7 dB
Moc wyjściowa:	1.5 kW
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	NI-1230H-4S
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	NXP Semiconductors
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	33.5 S
Liczba kanałów:	2 Channel
Pd – strata mocy:	1.667 kW
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Seria:	MRF1K50H
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Nazwy umowne nr części:	935313284178
Jednostka masy:	0,001 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MRF1K50HR5 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor

NXP MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor combines high RF output power with superior ruggedness and thermal performance. The transistor is designed to deliver 1.50kW CW at 50V and allows a reduction in the number of transistors in high-power RF amplifiers. MRF1K50H has an input and output design that allows for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz. Applications include laser and plasma sources to particle accelerators, industrial welding machines, radio and VHF TV broadcast transmitters, and amateur radio linear amplifiers.