Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

QPD2040D

Name: Qorvo QPD2040D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2040D
Price: 47.09 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-QPD2040D

Nr prod.:

QPD2040D

Produc.:

Qorvo

Opis:

RF JFET Transistors 0.40 mm Pwr pHEMT

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo QPD2040D

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 100 Wielokrotności: 100

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
	47,09 zł	4 709,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory JFET RF
RoHS:
Rodzaj tranzystora:	pHEMT
Technologia:	GaAs
Wzmocnienie:	13 dB
Opakowanie/obudowa:	0.41 mm x 0.34 mm
Opakowanie:	Reel
Marka:	Qorvo
NF – współczynnik szumów:	1.1 dB
Rodzaj produktu:	RF JFET Transistors
Seria:	QPD2040D
Wielkość opakowania producenta:	100
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die is designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2040D operates from DC to 20GHz with 26dBm typical output power at P1dB and a gain of 13dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression. This performance level is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides environmental robustness and scratch protection.