Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 177

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Nazwa handlowa

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

MOSFETs 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V

SUP90N06-05L-E3
Vishay / Siliconix
500: 11,74 zł
Niedostępne na stanie

Produc. Nr części
SUP90N06-05L-E3

Nr części Mouser
781-SUP90N06-05L-E3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V

Dowiedz się więcej

Niedostępne na stanie

11,74 zł

10,06 zł

Min.: 500
Wielokr.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 4 tygodni
Zamówienie specjalne z fabryki

Produc. Nr części
SI2318CDS-T1-GE3

Nr części Mouser
781-SI2318CDS-T1-GE3

Zamówienie specjalne z fabryki

Vishay Semiconductors

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SOT-23

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Uwagi o produktach

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 4 tygodni

Oferta

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

5.6 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

TrenchFET® MOSFETs

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W