Planar Diffused Structure UV-Enhanced Photodiodes

Advanced Photonix Planar Diffused Structure UV-Enhanced Photodiodes are engineered to deliver exceptional sensitivity, stability, and durability in ultraviolet detection applications. Built using a proprietary diffusion process, these devices achieve enhanced quantum efficiency in the UV spectrum while maintaining low noise levels and excellent linearity. Whether integrated into analytical instruments, environmental monitoring systems, or industrial sensing platforms, these photodiodes provide reliable, consistent performance.

Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Długość fali szczytowej
Vr – napięcie wsteczne
Czas narastania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Advanced Photonix Photodiodes 5.7mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
20Oczekiwane: 06.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 720 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 34mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Karta charakterystyki
20Oczekiwane: 06.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 5.7mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 5.7mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 13mm sq UV Si Photodiode TO-5
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 980 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 13mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 720 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 34mm sq UV Si Photodiode TO-5
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-8-6 Through Hole 980 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 34mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-8-6 Through Hole 720 nm 5 V 2 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 34mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 2 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 100mm sq UV Si Photodiode bNC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes BNC-11 Connector 980 nm 5 V 3 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 100mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 5 V 3 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 100mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes BNC-11 Connector 720 nm 5 V 7 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes 100mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 7 us - 20 C + 60 C