Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTB004N10G

Name: onsemi NTB004N10G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB004N10G
Price: 24.17 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTB004N10G

Nr prod.:

NTB004N10G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK

Karta charakterystyki:

NTB004N10G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTB004N10G

Na stanie magazynowym: 266

Stany magazynowe:: 266

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 800

Oczekiwane: 15.05.2026
Średni czas produkcji:: 50

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	24,17 zł	24,17 zł
	17,24 zł	172,40 zł
	14,92 zł	1 492,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	14,62 zł	11 696,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	201 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	175 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	340 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTB004N10G
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	4 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTB004N10G Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTB004N10G N-Channel Power MOSFET

onsemi NTB004N10G N-Channel Power MOSFET is avalanche energy specified, 201A (I_D), 100V (V_DSS) N-channel enhancement-mode MOSFET in a D²PAK package. This MOSFET offers low 4.2mΩ @10V R_DS(on), provides rugged technology for the utmost reliability, and is hot-swap tolerant with a superior safe operating area (SOA) curve than standard MOSFETs. onsemi NTB004N10G MOSFET is designed for wide SOA applications from a 48V bus, including telecom, hot-swap, and server equipment. Other typical applications also include converters and power supplies.