CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies. 

Wyniki: 128
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDFN-8 N-Channel 1 Channel 800 V Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW Czas realizacji 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDFN-8 N-Channel 1 Channel 800 V Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel