Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 6.34 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-FD5877NLWFT1G-UM

Nr prod.:

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVMFD5877NLWFT1G-UM Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM

Na stanie magazynowym: 1 350

Stany magazynowe:: 1 350 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 150

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,34 zł	6,34 zł
	4,01 zł	40,10 zł
	2,63 zł	263,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	2,63 zł	3 945,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	17 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	39 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	11 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	23 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	3.9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	7 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15.8 ns
Seria:	NVMFD5877NL
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	11.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.1 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFD5877NLWFT1G-UM Karta charakterystyki

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Tajwan

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NVMFD5877NL Dual N-Channel MOSFET

onsemi NVMFD5877NL Dual N-Channel MOSFET is designed for compact and efficient designs, including high thermal performance. This n-channel MOSFET offers a wettable flanks option for enhanced optical inspection. The NVMFD5877NL MOSFET features low on-resistance to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. This n-channel MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The NVMFD5877NL MOSFET is suitable for automotive applications such as solenoid drivers and low-side/high-side drivers.