FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie

onsemi IGBTs 650V FS3 Trench IGBT
Karta charakterystyki
615Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
Karta charakterystyki
502Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube

onsemi IGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
Karta charakterystyki
858Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W
Karta charakterystyki
521Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 650V 150A 187W
Karta charakterystyki
332Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
Karta charakterystyki
460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube
onsemi IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
Karta charakterystyki
1 119Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi IGBTs 650 V 100 A 240 W
Karta charakterystyki
81Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube
onsemi IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
Karta charakterystyki
81Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 150

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
Karta charakterystyki
55Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 05.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V
Karta charakterystyki
849Na stanie magazynowym
1 350Oczekiwane: 09.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 270

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube

onsemi IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
Karta charakterystyki
105Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube