Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 7.65 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-VMFWS1D7N04XMT1G

Nr prod.:

NVMFWS1D7N04XMT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVMFWS1D7N04XMT1G Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G

Na stanie magazynowym: 7 977

Stany magazynowe:: 7 977 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 42 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,65 zł	7,65 zł
	4,90 zł	49,00 zł
	3,38 zł	338,00 zł
	2,87 zł	1 435,00 zł
	2,40 zł	2 400,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	2,21 zł	3 315,00 zł
	2,09 zł	6 270,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFNW-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	154 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.65 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	29 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	75 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	17 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	77 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	13 ns
Seria:	NVMFWS1D7N04XM
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFWS1D7N04XMT1G Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS1D7N04XM MOSFET

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET is a single, N-channel, STD gate MOSFET in a SO8FL package. The device features 40V drain-to-source voltage, 154A continuous drain current, and is AEC-Q101 qualified. The onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET minimizes driver and conduction losses with low capacitance and R_DS(on). The NVMFWS1D7N04XM is housed in a small footprint of 5mm x 6mm and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification.