RY7P250BMTBC

ROHM Semiconductor
755-RY7P250BMTBC
RY7P250BMTBC

Produc.:

Opis:
MOSFETs RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RY7P250BMTBC

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
2 490
Oczekiwane: 04.06.2026
2 500
Oczekiwane: 11.06.2026
Średni czas produkcji:
16
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
30,40 zł 30,40 zł
21,03 zł 210,30 zł
16,43 zł 1 643,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
13,93 zł 34 825,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Układy MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN8080-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.86 mOhms
20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 200 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 27 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 90 ns
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 195 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 72 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RY7P250BM Power MOSFET

ROHM Semiconductor RY7P250BM Power MOSFET is designed with a low on-resistance of 1.86mΩ (maximum) and comes in a DFN8080 high-power package. This power MOSFET features 100V drain-source voltage (VDSS), ±300A drain current (ID), and 340W power dissipation (PD). The RY7P250BM MOSFET offers a wide Safe Operating Area (SOA) that helps the MOSFET withstand higher voltages and currents without damage, enhancing robustness and reliability. The ROHM RY7P250BM MOSFET is suitable for Hot Swap Controller (HSC) applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.