ADL8102 Low Noise Amplifiers

Analog Devices ADL8102 Low Noise Amplifiers are gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise, wideband amplifiers. The ADL8102 operates from 1GHz to 22GHz and provides a typical gain of 27dB from 9GHz to 19GHz. The MMICs also feature a 2.5dB typical noise figure from 9GHz to 19GHz, a typical output third-order intercept (OIP3) of 25dBm from 1GHz to 9GHz, and a saturated output power (PSAT) of up to 15.5dBm, which requires only 110mA from a 5V supply voltage.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier LNA, 10 MHz-20GHz
Karta charakterystyki
1 292Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 GHz to 22 GHz 5 V 110 mA 27 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-16 GaAs 23 dBm - 40 C + 85 C ADL8102 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier LNA, 10 MHz-20GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
Szpula: 1 500

1 GHz to 22 GHz 5 V 110 mA 27 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-16 GaAs 23 dBm - 40 C + 85 C ADL8102 Reel