PLN Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej 200 zł (PLN) Wszystkie dostępne opcje płatności
Euro Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej 50 € (EUR) Wszystkie dostępne opcje płatności
USD Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej $60 (USD) Wszystkie dostępne opcje płatności
Generowanie łącza nie powiodło się. Spróbuj ponownie.
PMDXBx 20V Trench MOSFETs
Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.