DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs were designed to minimize the on-state resistance RDS(on) and yet maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs from Diodes Incorporated feature low On-Resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie

Diodes Incorporated MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair 84 321Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 845 mA, 1.066 A 450 mOhms, 750 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 736.6 nC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet 39 301Na stanie magazynowym
57 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 420
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 750 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 23 682Na stanie magazynowym
21 000Oczekiwane: 25.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms - 6 V, 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel