Tranzystory MOSFET OptiMOS™-5 IAUZ4xN06S5 60V Automotive

Tranzystory MOSFET OptiMOS™-5 IAUZ4xN06S5 60V Automotive firmy Infineon Technologies charakteryzują się niską rezystancją dren-źródło, niskim ładunkiem bramki i niską pojemnością bramki, co pozwala minimalizować straty przewodzenia i przełączania. Te n-kanałowe tranzystory MOSFET pracujące w trybie wzmocnienia charakteryzują się również bardzo niskim poziomem przechowywanego ładunku od 22,7 nC do 23,0 nC. 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Karta charakterystyki
4 057Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Karta charakterystyki
13 003Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel