Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 44.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMT045N065SC1

Nr prod.:

NTMT045N065SC1

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88

Karta charakterystyki:

NTMT045N065SC1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMT045N065SC1

Na stanie magazynowym: 5 875

Stany magazynowe:: 5 875 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 5875 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	44,38 zł	44,38 zł
	32,34 zł	323,40 zł
	27,99 zł	2 799,00 zł
	25,67 zł	25 670,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	23,78 zł	71 340,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TDFN-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	55 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	50 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	105 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	187 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	16 S
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	14 ns
Seria:	NTMT045N065SC1
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMT045N065SC1 Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs use technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The onsemi MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. The devices have benefits that include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.